來源：杭州吉康新材料有限公司材料應(yīng)用組 編者：納米機(jī)器人 時(shí)間：2024-5-21
隨著電子芯片性能卓越化、小尺寸化，電子芯片工作過程中的熱流密度大幅提升。以LED封裝為例，如果不能及時(shí)將芯片工作熱量傳導(dǎo)出去，大量熱量聚集在LED器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力，引發(fā)一系列的安全問題，同時(shí)芯片溫度逐步升高，導(dǎo)致出現(xiàn)LED發(fā)光效率降低、波長紅移等性能問題。故此，選擇合適的材料使器件的內(nèi)部熱量傳導(dǎo)至外界環(huán)境成為發(fā)展大功率器件的重中之重。
目前，常用的電子封裝陶瓷基板材料有氧化鋁、氧化鋅、氮化鋁、氮化硅等等。
一些陶瓷材料的特性對比：
氧化鋁是最為常見的一種陶瓷基板材料，價(jià)格低、有絕緣性和機(jī)械性能好的特點(diǎn)。但是氧化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率較低20-30w/(m·K),因此其應(yīng)用范圍局限在電路所能承受的電壓較低和電路的集成度不太高的封裝領(lǐng)域。
SiC單晶體具有很高的熱導(dǎo)率，純SiC單晶體室溫下的熱導(dǎo)率490w/(m·K)，但由于晶粒取向的差異，多晶SiC陶瓷的熱導(dǎo)率只有670w/(m·K)。另外，SiC絕緣性低，介電損耗大，高頻特性差等，工業(yè)化導(dǎo)熱領(lǐng)域的應(yīng)用研究比較少。
但是通過終端封裝材料用戶的實(shí)驗(yàn)對比表明：氮化鋁材料是現(xiàn)階段用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料的理想材料之一。因?yàn)?/span>氮化鋁理論熱導(dǎo)率可達(dá)到320w/(m·K)，而商用產(chǎn)品熱導(dǎo)率一般是180-260w/(m·K)，完全滿足要求。
杭州吉康新材料有限公司供應(yīng)96.5%，98.5%，99.5%和99.5%這四種不同純度的氮化鋁，同時(shí)粒度1至120微米可調(diào)整。相信能為廣大封裝材料用戶帶來福音。更多詳細(xì)內(nèi)容，請咨詢15325002889微信同步。
